HBM（高带宽内存）
缺口率 🔴待填入AI GPU主存 · TSV堆叠工艺 · 供给高度集中于海力士
定价权
极强（理论）
📋 供需说明
HBM是当前存储芯片行业最核心的供需矛盾点。需求端由英伟达/AMD GPU出货量与每颗GPU配套HBM容量共同决定，AI算力军备竞赛使需求呈指数级增长；供给端受限于TSV工艺良率壁垒，全球仅海力士、三星、美光三家能生产，且产能扩张周期长达2-3年。当前供给缺口极大，海力士HBM定价权极强，毛利率维持在行业最高水平。预计2025-2026年仍将持续供给紧张，HBM4量产后供需格局将进一步向买方倾斜。
🇰🇷 SK海力士
2026: _____(M15X)
2027: _____
2025: ~85%（领先）
🇰🇷 三星电子
2026: _____(认证影响)
落后海力士1-2季度
🇺🇸 美光科技
2026: _____(Idaho新厂)
_____
天 / 周
来源: TrendForce 月度
6 – 10 周
<6周：供给紧张，价格上涨
>10周：库存积压，价格承压
—
去库 / 积库 / 稳定
| 厂商 | 项目 | 投产节点 | 产能增量 | 数据状态 | 来源 |
|---|---|---|---|---|---|
| 海力士 | M15X 新厂 | 2026年Q? | +_____% | 🟡TF | TrendForce |
| 三星 | 待填入 | 待填入 | 待填入 | 🔴待填入 | 待接入 |
| 美光 | Idaho 新厂 | 2026年 | +_____% | ⬜AI估算 | 长桥季报 |
_____
来源: TrendForce
历史区间 5–8x
当前: _____x
—
随良率提升而下降
—
季度 —% / 财年 —%
[YF] Yahoo Finance 财报
—
季度 —% / 财年 —%
[YF] Yahoo Finance 财报
缺口率 → 毛利率 映射
>20% → 毛利率 >50%
10-20% → 毛利率 40-50%
0-10% → 毛利率 <40%
<0% → 价格战
| 年份 | 需求 (GB) | 供给 (GB) | 缺口 (GB) | 缺口率 | 利润率影响 | 数据状态 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2025 | 待填入 | 待填入 | 待填入 | _____% | 待填入 | 🟡TF |
| 2026 | 待填入 | 待填入 | 待填入 | _____% | 待填入 | 🟡TF |
| 2027 | 待填入 | 待填入 | 待填入 | _____% | 待填入 | 🟡TF |
数据来源：TrendForce（付费）/ 公司法说会（Tavily爬取）/ 长桥季报
普通DRAM
缺口率 🔴待填入AI服务器DDR5 · PC · 手机 · 三巨头竞争 · CXMT冲击风险
定价权
强
📋 供需说明
普通DRAM当前处于上行周期中段（2024-2025年）。价格已从2023年底部回升30-50%，原厂渠道DOI从峰值约150天降至70-80天接近健康区间。AI服务器（每台约2TB DDR5）是最核心的新增需求驱动力；DDR4→DDR5升级周期（预计2026年渗透率超70%）提供额外价格支撑。最大风险是长鑫存储（CXMT）普通DRAM量产规模超预期——若产能快速释放将打压价格。HBM不受此影响，CXMT无HBM能力。
| 年份 | 需求(GB) | 供给(GB) | 缺口率 | 关键变量 | 状态 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2025 | 待填入 | 待填入 | _____% | HBM挤压效应 | 🟡TF |
| 2026 | 待填入 | 待填入 | _____% | CXMT量产冲击 | 🟡TF |
| 2027 | 待填入 | 待填入 | _____% | DDR5渗透率 | 🟡TF |
当前DOI
🟡TF
来源: TrendForce 月量
健康区间
4–6 周
✅ 已知
趋势
🟡TF
从高峰~150天持续下降
| 厂商 | 项目 | 投产节点 | 产能增量 | 状态 |
|---|---|---|---|---|
| 三星 | 1a nm扩产 | 🟡待填入 | 🟡待填入 | 🟡TF |
| 海力士 | M15X新厂 | 2026年Q7 | 🟡待填入 | 🟡TF |
| CXMT | DDR5量产 | 🔴待确认 | 🔴待确认 | 关键风险变量 |
三星规模最大→成本最低；美光1b nm制程领先→但产能最小
周期高峰毛利率约50-65%；缺口率转负→毛利率快速下滑
[YF] Yahoo Finance quarterly_income_stmt + financials
企业级eSSD
缺口率 🔴待填入AI训练数据存储 · 超大规模DC CapEx直接驱动 · 层数竞赛降成本
定价权
强
📋 供需说明
企业级eSSD是NAND子市场中景气度最好的细分。AI训练需要PB级数据存储，eSSD读写速度比HDD快100倍，是AI训练效率的核心要素。3D NAND层数竞赛持续降低成本（每代-20-30% per GB），加速eSSD替代HDD的经济拐点——2024年eSSD约占数据中心存储市场40%，预计2027年超50%。毛利率约40-50%，远高于消费级NAND（20-30%），原厂主动向eSSD调配产能。铠侠/闪迪合并（若成功）将进一步改善NAND资本纪律，是最大正面催化剂。
| 年份 | 需求(EB) | 供给(EB) | 缺口率 | 关键变量 | 状态 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2025 | 待填入 | 待填入 | _____% | AI DC CapEx | 🟡TF |
| 2026 | 待填入 | 待填入 | _____% | 铠侠/闪迪合并影响 | 🟡TF |
| 2027 | 待填入 | 待填入 | _____% | QLC渗透率 | 🟡TF |
NAND渠道DOI
🟡TF
来源: TrendForce
健康区间
5-8 周
✅ 已知
eSSD vs 消费NAND
原厂优先向eSSD分配产能（高毛利）
⬜ AI估算
每增加一代层数，每GB成本下降约20-30%；加速eSSD替代HDD经济拐点
历史区间约40-50%，远高于消费级NAND（20-30%）
缺口率 <0% → 毛利率 <30%（铠侠亏损期）
消费级NAND
缺口率 🔴待填入手机/PC闪存 · 五家竞争 · 长江存储冲击 · 周期性强
定价权
弱
📋 供需说明
消费级NAND是最纯粹的周期性子市场，定价权弱（五家竞争+长江存储）。需求由手机+PC+消费级SSD驱动，与消费电子景气周期高度相关，每3-4年出现一次大幅供需失衡。长鑫存储（CXMT）是关键负面变量——若量产规模超预期将直接打压价格。铠侠/闪迪合并（若成功）是最重要的正面催化剂——集中度提升→资本纪律改善→供给过剩持续时间缩短。萨姆规则触发（经济衰退）时，消费NAND需求预测需下调约15-20%（换机周期延长）。
| 年份 | 需求(EB) | 供给(EB) | 缺口率 | 关键变量 | 状态 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2025 | 待填入 | 待填入 | _____% | 长江存储冲击 | 🟡TF |
| 2026 | 待填入 | 待填入 | _____% | 铠侠/闪迪合并 | 🟡TF |
| 2027 | 待填入 | 待填入 | _____% | QLC渗透率 | 🟡TF |
过去低谷约180天；消费电子旺季（Q4）会显著拉低DOI
三星290层制程成本最低；CXMT低价倾销是最大压力来源
周期底部铠侠亏损；供给过剩时毛利率<20%；高峰可达40-50%